Name: IQE030N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.1019 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 60 V 21A (Ta), 132A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-1

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQE030N06NM5CGSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE030N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE030N06NM5CGSCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 21A (Ta), 132A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE030N06NM5CGSCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3mOhm bei 20A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,3V bei 50µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3800 pF @ 30 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21A (Ta), 132A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHTFN-9-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 9-PowerWDFN