Name: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.0777 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-1

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IQE013N04LM6CGSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE013N04LM6CGSCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE013N04LM6CGSCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,35mOhm bei 20A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 51µA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 41 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3800 pF @ 20 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31A (Ta), 205A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHTFN-9-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 9-PowerWDFN