Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.5332 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-1

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQE006NE2LM5CGATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE006NE2LM5CGATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 82.1 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5453 pF @ 12 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TTFN-9-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,65mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer IQE006