Name: IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 5.1667 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-U02

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IQDH45N04LM6CGSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Beschreibung	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHTFN-9-U02
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,49mOhm bei 50A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 1,449mA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 78 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12000 pF @ 20 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHTFN-9-U02
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 9-PowerWDFN