Name: IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR-ND
Price: 1.815 EUR
Availability: InStock

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPZ40N04S5L2R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 40 A (Tc) 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 52 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±16V
Serie OptiMOS™ 5	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2800 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,8mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer IPZ40N04
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 30µA