
IPW60R045CPFKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IPW60R045CPFKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW60R045CPFKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 431W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPW60R045CPFKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 3mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 190 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6800 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 431W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 45mOhm bei 44A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| STW65N65DM2AG | STMicroelectronics | 379 | 497-16127-5-ND | 9,62000 € | Direkter Ersatz |
| FCH040N65S3-F155 | onsemi | 875 | FCH040N65S3-F155-ND | 12,05000 € | Ähnlich |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | 13,31000 € | Ähnlich |
| IXFH80N65X2 | IXYS | 3.650 | 238-IXFH80N65X2-ND | 14,26000 € | Ähnlich |
| SIHW70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW70N60EF-GE3-ND | 7,11881 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 14,27000 € | 14,27 € |
| 30 | 8,77867 € | 263,36 € |
| 120 | 7,57575 € | 909,09 € |
| 510 | 7,03292 € | 3.586,79 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 14,27000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 17,26670 € |


