Name: IPT60R099CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND
Price: 4.4407 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT60R099CM8XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT60R099CM8XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT60R099CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT60R099CM8XTMA1
Beschreibung	IPT60R099CM8XTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 186W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 10,1A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 4,7V bei 260µA
Serie CoolMOS™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 31 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1330 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 186W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN