Name: IPT009N08NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT009N08NM6ATMA1TR-ND
Price: 10.4665 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT009N08NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT009N08NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT009N08NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT009N08NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT009N08NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,95mOhm bei 150A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 278µA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 186 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13000 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 43A (Ta), 425A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN