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N-Kanal 650 V 11,4 A (Tc) 104,2W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP65R310CFDXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP65R310CFDXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R310CFDXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 11,4 A (Tc) 104,2W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 440µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
104,2W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
310mOhm bei 4,4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
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