Name: IPP65R095C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R095C7XKSA1-ND
Price: 6.7397 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R095C7XKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP65R095C7XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP65R095C7XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP65R095C7XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 590µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2140 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 128W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 24 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPP65R095
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 95mOhm bei 11,8A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	5,57000 €	5,57 €
50	2,94380 €	147,19 €
100	2,69100 €	269,10 €
500	2,24820 €	1.124,10 €
1.000	2,10608 €	2.106,08 €
2.000	2,03902 €	4.078,04 €

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