N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 52W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 52W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Infineon 600 V CoolMOS MOSFET Family | Digi-Key Daily

IPP60R280CFD7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP60R280CFD7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R280CFD7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
30 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 52W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R280CFD7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 180µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
18 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
807 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 3,6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 278
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,69000 €2,69 €
501,33300 €66,65 €
1001,20170 €120,17 €
5000,97136 €485,68 €
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5.0000,76781 €3.839,05 €
10.0000,76204 €7.620,40 €
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