N-Kanal 650 V 37 A (Tc) 129W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP60R080P7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP60R080P7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R080P7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 37 A (Tc) 129W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R080P7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 590µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
51 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2180 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
129W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
80mOhm bei 11,8A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 184
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,60000 €4,60 €
502,39220 €119,61 €
1002,17880 €217,88 €
5001,80484 €902,42 €
1.0001,68476 €1.684,76 €
2.0001,58386 €3.167,72 €
5.0001,58071 €7.903,55 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:5,56600 €