IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IPP530N15N3GXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP530N15N3GXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP530N15N3GXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 21 A (Tc) 68W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP530N15N3GXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 35µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 887 pF @ 75 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Basis-Produktnummer IPP530
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 53mOhm bei 18A, 10V