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N-Kanal 560 V 9 A (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP50R399CPHKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP50R399CPHKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP50R399CPHKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 560 V 9 A (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 330µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
890 pF @ 100 V
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
560 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
399mOhm bei 4,9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (10)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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