Name: IPN50R2K0CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN50R2K0CEATMA1TR-ND
Price: 0.7139 EUR
Availability: InStock

IPN50R2K0CEATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN50R2K0CEATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN50R2K0CEATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN50R2K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN50R2K0CEATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 3,6 A (Tc) 5W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN50R2K0CEATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	13V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2Ohm bei 600mA, 13V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	124 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223-3
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	IPN50R2

Stückpreis ohne MwSt.:	0,59000 €
Stückpreis mit MwSt.:	0,71390 €

IPN50R2K0CEATMA1