Name: IPG20N10S4L35AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND
Price: 2.178 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPG20N10S4L35AATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPG20N10S4L35AATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPG20N10S4L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPG20N10S4L35AATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 20A 43W Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PG-TDSON-8-10
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPG20N10S4L35AATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 16µA
Hersteller Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17,4nC bei 10V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1105pF bei 25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 43W
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Qualifizierung AEC-Q101
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20A	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 35mOhm bei 17A, 10V	Basis-Produktnummer IPG20N