Name: IPG20N06S415ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N06S415ATMA2TR-ND
Price: 2.3111 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPG20N06S415ATMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPG20N06S415ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPG20N06S415ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPG20N06S415ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPG20N06S415ATMA2
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 20A 50W Oberflächenmontage PG-TDSON-8-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPG20N06S415ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 29nC bei 10V
Hersteller Infineon Technologies	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2260pF bei 25V
Serie OptiMOS™	Leistung - Max. 50W
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Status der Komponente Aktiv	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20A	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 15,5mOhm bei 17A, 10V	Basis-Produktnummer IPG20N
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 20µA