Name: IPDQ65R008CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R008CM8XTMA1TR-ND
Price: 24.1637 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPDQ65R008CM8XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPDQ65R008CM8XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPDQ65R008CM8XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPDQ65R008CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPDQ65R008CM8XTMA1
Beschreibung	IPDQ65R008CM8XTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 270 A (Tc) 1,249kW (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPDQ65R008CM8XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8mOhm bei 125A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 4,7V bei 3,24mA
Serie CoolMOS™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 375 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 18004 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,249kW (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 270 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-22
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 22-poliges PowerBSOP-Modul