Name: IPDD60R190G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R190G7XTMA1TR-ND
Price: 3.6058 EUR
Availability: InStock

IPDD60R190G7XTMA1
DigiKey-Teilenr.	IPDD60R190G7XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPDD60R190G7XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPDD60R190G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPDD60R190G7XTMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 13 A (Tc) 76W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-10-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPDD60R190G7XTMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ G7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 4,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 210µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	718 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	76W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-10-1
Gehäuse / Hülle	10-poliges PowerSOP-Modul
Basis-Produktnummer	IPDD60

Stückpreis ohne MwSt.:	2,98000 €
Stückpreis mit MwSt.:	3,60580 €

IPDD60R190G7XTMA1