Name: IPD95R450PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD95R450PFD7ATMA1TR-ND
Price: 3.1581 EUR
Availability: InStock

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IPD95R450PFD7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPD95R450PFD7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD95R450PFD7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPD95R450PFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD95R450PFD7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 950 V 13,3A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 7,2A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 360µA
Serie CoolMOS™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1230 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13,3A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63