Name: IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND
Price: 2.3474 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD90R1K2C3ATMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD90R1K2C3ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD90R1K2C3ATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 900 V 5,1 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD90R1K2C3ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 310µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 710 pF @ 100 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,1 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD90
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,2Ohm bei 2,8A, 10V