Name: IPD65R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R650CEAUMA1TR-ND
Price: 1.5246 EUR
Availability: InStock

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IPD65R650CEAUMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD65R650CEAUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD65R650CEAUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD65R650CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD65R650CEAUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD65R650CEAUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 210µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 440 pF @ 100 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 86W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD65R650
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 2,1A, 10V

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Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
FCD620N60ZF	onsemi	2.500	FCD620N60ZFCT-ND	2,52000 €	Upgrade
FCD850N80Z	onsemi	17.987	488-FCD850N80ZCT-ND	3,03000 €	Ähnlich
STD10LN80K5	STMicroelectronics	1.807	497-STD10LN80K5CT-ND	3,31000 €	Ähnlich

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