Name: IPD35N10S3L26ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND
Price: 2.4321 EUR
Availability: InStock

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IPD35N10S3L26ATMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD35N10S3L26ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPD35N10S3L26ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD35N10S3L26ATMA2
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-11
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD35N10S3L26ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2700 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3-11
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 35A, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 39µA