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IPD30N03S2L10ATMA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPD30N03S2L10ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 30 V 30 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-11 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 42 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1200 pF @ 25 V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) | Verlustleistung (max.) 100W (Tc) |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3-11 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10mOhm bei 30A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 50µA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | 4.397 | IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND | 2,02000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 2.500 | 31-DMN3010LK3-13CT-ND | 0,99000 € | Ähnlich |
| FDD8876 | onsemi | 103 | FDD8876CT-ND | 1,70000 € | Ähnlich |







