Name: IPD25CN10NGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD25CN10NGATMA1TR-ND
Price: 1.7908 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3

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IPD25CN10NGATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD25CN10NGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD25CN10NGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD25CN10NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD25CN10NGATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD25CN10NGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 39µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 31 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2070 pF @ 50 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD25CN10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 35A, 10V

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Ersatzartikel (4)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IPD180N10N3GATMA1	Infineon Technologies	4.903	IPD180N10N3GATMA1CT-ND	1,54000 €	Vom Hersteller empfohlen
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