Name: IPD180N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD180N10N3GATMA1TR-ND
Price: 1.8634 EUR
Availability: InStock

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IPD180N10N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD180N10N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD180N10N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD180N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD180N10N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 43 A (Tc) 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD180N10N3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 33µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1800 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 43 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPD180
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 33A, 10V