Name: IPD135N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD135N08N3GATMA1TR-ND
Price: 2.1538 EUR
Availability: InStock

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IPD135N08N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD135N08N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD135N08N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD135N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD135N08N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 45 A (Tc) 79W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD135N08N3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 33µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1730 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 45 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPD135
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,5mOhm bei 45A, 10V