Name: IPD110N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD110N12N3GATMA1TR-ND
Price: 2.9161 EUR
Availability: InStock

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IPD110N12N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD110N12N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD110N12N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD110N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD110N12N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 75 A (Tc) 136W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD110N12N3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 83µA (typisch)
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 65 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4310 pF @ 60 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 75 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 75A, 10V