Name: IPB65R110CFDATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R110CFDATMA2TR-ND
Price: 6.6913 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB65R110CFDATMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPB65R110CFDATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB65R110CFDATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB65R110CFDATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB65R110CFDATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB65R110CFDATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,3mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 118 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD2	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3240 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 277,8W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31,2 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB65R110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 110mOhm bei 12,7A, 10V