Name: IPB048N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB048N15N5ATMA1TR-ND
Price: 5.6386 EUR
Availability: InStock

IPB048N15N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB048N15N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB048N15N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB048N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB048N15N5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB048N15N5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,8mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,6V bei 264µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7800 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB048

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1.000	1,84427 €	1.844,27 €
2.000	1,74982 €	3.499,64 €

IPB048N15N5ATMA1

Stückpreis ohne MwSt.:	4,66000 €
Stückpreis mit MwSt.:	5,63860 €