Name: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
Price: 4.2834 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 188W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3

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IPB029N06N3GE8187ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB029N06N3GE8187ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB029N06N3GE8187ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 188W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 118µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 165 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13000 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB029
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,2mOhm bei 100A, 10V