N-Kanal 650 V 13,8 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
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IPA65R280E6XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA65R280E6XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA65R280E6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 13,8 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA65R280E6XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 440µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
950 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 4,4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOTF15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.208785-1519-5-ND3,60000 ۀhnlich
SIHF15N65E-GE3Vishay Siliconix0SIHF15N65E-GE3-ND1,40913 ۀhnlich
STF16N65M5STMicroelectronics170497-8893-5-ND3,62000 ۀhnlich
TK290A65Y,S4XToshiba Semiconductor and Storage34TK290A65YS4X-ND2,87000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,36000 €3,36 €
501,67520 €83,76 €
1001,51200 €151,20 €
5001,22592 €612,96 €
1.0001,13400 €1.134,00 €
2.0001,05673 €2.113,46 €
5.0000,97319 €4.865,95 €
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Stückpreis mit MwSt.:4,06560 €