N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 30W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
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IPA65R190C7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA65R190C7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA65R190C7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 30W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA65R190C7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 290µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1150 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 5,7A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 500
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,19000 €3,19 €
501,60340 €80,17 €
1001,45010 €145,01 €
5001,18128 €590,64 €
1.0001,09491 €1.094,91 €
2.0001,02233 €2.044,66 €
5.0000,96134 €4.806,70 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,85990 €