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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZA75R016M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMZA75R016M1HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 750 V 89A (Tj) 319W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 14,9mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 81 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +23V, -5V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2869 pF @ 500 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 319W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 750 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 15mOhm bei 41,5A, 20V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 18,33000 € | 18,33 € |
| 30 | 11,52467 € | 345,74 € |
| 120 | 10,03633 € | 1.204,36 € |
| 510 | 9,69790 € | 4.945,93 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 18,33000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 22,17930 € |
