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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R057M1HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 133W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW65R057M1HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +20V, -2V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 930 pF @ 400 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 133W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-41 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 74mOhm bei 16,7A, 18V |
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Alle Preise in EUR
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 7,71000 € | 7,71 € |
| 30 | 4,49833 € | 134,95 € |
| 120 | 3,79275 € | 455,13 € |
| 510 | 3,27598 € | 1.670,75 € |
| 1.020 | 3,14623 € | 3.209,15 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 7,71000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 9,32910 € |
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