N-Kanal 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
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IMW65R048M1HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMW65R048M1HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMW65R048M1HXKSA1
Beschreibung
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMW65R048M1HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,7V bei 6mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
33 nC @ 18 V
Serie
Vgs (Max.)
+23V, -5V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1118 pF @ 400 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-41
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
64mOhm bei 20,1A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
MSC035SMA070BMicrochip Technology240MSC035SMA070B-ND8,96000 ۀhnlich
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