
IMW65R048M1HXKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMW65R048M1HXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMW65R048M1HXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 6mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +23V, -5V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1118 pF @ 400 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-41 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 64mOhm bei 20,1A, 18V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC035SMA070B | Microchip Technology | 240 | MSC035SMA070B-ND | 8,96000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 8,52000 € | 8,52 € |
| 30 | 5,00933 € | 150,28 € |
| 120 | 4,23983 € | 508,78 € |
| 510 | 3,67618 € | 1.874,85 € |
| 1.020 | 3,58647 € | 3.658,20 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 8,52000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 10,30920 € |








