Name: IMW120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R220M1HXKSA1-ND
Price: 7.3084 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41

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IMW120R220M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IMW120R220M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMW120R220M1HXKSA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 13 A (Tc) 75W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMW120R220M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 1,6mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.5 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max.) +23V, -7V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 289 pF @ 800 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-41
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Basis-Produktnummer IMW120
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 286mOhm bei 4A, 18V

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	6,04000 €	6,04 €
30	3,45500 €	103,65 €
120	2,88583 €	346,30 €
510	2,46888 €	1.259,13 €
1.020	2,31675 €	2.363,09 €
2.010	2,27635 €	4.575,46 €

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