Name: IMLT65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMLT65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.915 EUR
Availability: InStock

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IMLT65R020M2HXTMA1
cms-digikey-product-number	448-IMLT65R020M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMLT65R020M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMLT65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IMLT65R020M2HXTMA1
cms-description	SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
cms-standard-lead-time	61 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 650 V 107 A (Tc) 454W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-16-6
Datenblatt	Datenblatt

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cms-category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 46,9A, 18V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 9,5mA
Serie CoolSiC™ Gen 2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2038 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 454W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 107 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-16-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle 16-poliges PowerSOP-Modul