IGBT 650 V 80 A 536 W Durchkontaktierung PG-TO247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IGBT 650 V 80 A 536 W Durchkontaktierung PG-TO247-3
PG-TO247-3

IKW75N65EL5XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IKW75N65EL5XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IKW75N65EL5XKSA1
Beschreibung
IGBT 650V 80A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT 650 V 80 A 536 W Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IKW75N65EL5XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Eingangstyp
Standard
Hersteller
Infineon Technologies
Gate-Ladung
436 nC
Serie
Td (on/off) bei 25°C
40ns/275ns
Verpackung
Stange
Testbedingung
400V, 75A, 4Ohm, 15V
Status der Komponente
Aktiv
Umkehrerholungszeit (trr)
114 ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80 A
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
300 A
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
1,35V bei 15V, 75A
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3
Leistung - Max.
536 W
Basis-Produktnummer
Schaltenergie
1,61mJ (Ein), 3,2mJ (Aus)
Umwelt- und Exportklassifikationen
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