Name: IGW50N65H5FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGW50N65H5FKSA1-ND
Price: 4.3439 EUR
Availability: InStock

IGBT 650 V 80 A 305 W Durchkontaktierung PG-TO247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGW50N65H5FKSA1
DigiKey-Teilenr.	IGW50N65H5FKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGW50N65H5FKSA1
Beschreibung	IGBT 650V 80A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	45 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 650 V 80 A 305 W Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGW50N65H5FKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs	Schaltenergie 520µJ (Ein), 180µJ (Aus)
Hersteller Infineon Technologies	Eingangstyp Standard
Serie TRENCHSTOP™	Gate-Ladung 120 nC
Verpackung Stange	Td (on/off) bei 25°C 21ns/180ns
Status der Komponente Aktiv	Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80 A	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 150 A	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,1V bei 15V, 50A	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3
Leistung - Max. 305 W	Basis-Produktnummer IGW50N65

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	3,59000 €	3,59 €
30	1,96933 €	59,08 €
120	1,61300 €	193,56 €
510	1,35157 €	689,30 €
1.020	1,25614 €	1.281,26 €
2.010	1,17749 €	2.366,75 €
5.010	1,14237 €	5.723,27 €

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