Name: IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND
Price: 6.0621 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGL65R080D2XUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGL65R080D2XUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGL65R080D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGL65R080D2XUMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 18A 8TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 81W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PG-TSON-8-U06
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,6V bei 1,8mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (Max.) -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 240 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 81W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-U06
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-TDFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 70mOhm bei 5,5A