Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 6.8123 EUR
Availability: InStock

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IAUTN08S5N012LATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUTN08S5N012LATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUTN08S5N012LATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 3,3V bei 275µA
Hersteller Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24nC bei 10V
Serie OptiMOS™ 5	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 15340pF bei 40V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 375W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Konfiguration 2 N-Kanäle, gemeinsamer Drain-Anschluss, gemeinsamer Source-Anschluss	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 300A (Tj)	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,15mOhm bei 100A, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-2