Name: IAUTN06S5N008ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND
Price: 6.9575 EUR
Availability: InStock

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IAUTN06S5N008ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUTN06S5N008ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUTN06S5N008ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUTN06S5N008ATMA1
Beschreibung	MOSFET_)40V 60V)
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 60A (Ta), 350A (Tj) 258W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 275µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 273 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 20280 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 258W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60A (Ta), 350A (Tj)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,76mOhm bei 100A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN