Name: IAUMN10S5N017GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND
Price: 4.9005 EUR
Availability: InStock

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IAUMN10S5N017GAUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUMN10S5N017GAUMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 200A (Tj) 307W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOG-4-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUMN10S5N017GAUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 215µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 170 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12514 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 307W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200A (Tj)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOG-4-1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,7mOhm bei 100A, 10V	Gehäuse / Hülle 4-PowerSFN

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