Name: IAUC60N04S6N031HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N04S6N031HATMA1TR-ND
Price: 3.1823 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFETs - Arrays 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-56

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IAUC60N04S6N031HATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUC60N04S6N031HATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUC60N04S6N031HATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUC60N04S6N031HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUC60N04S6N031HATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-56
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUC60N04S6N031HATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30nC bei 10V
Hersteller Infineon Technologies	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1922pF bei 25V
Serie OptiMOS™ 6	Leistung - Max. 75W (Tc)
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60A (Tj)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-56
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,1mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer IAUC60
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 25µA