Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.8435 EUR
Availability: InStock

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BSZ16DN25NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ16DN25NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 10,9 A (Tc) 62,5W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 32µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 920 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 62,5W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10,9 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer BSZ16DN25
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 165mOhm bei 5,5A, 10V