Name: BSZ097N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 2.8072 EUR
Availability: InStock

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BSZ097N10NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ097N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ097N10NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ097N10NS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 36µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2080 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8-FL
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8 A (Ta), 40 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer BSZ097
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,7mOhm bei 20A, 10V