Name: BSS670S2LH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS670S2LH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.3388 EUR
Availability: InStock

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BSS670S2LH6327XTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSS670S2LH6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSS670S2LH6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSS670S2LH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSS670S2LH6327XTSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT23
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSS670S2LH6327XTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2.26 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 75 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 540mA (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT23
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 270mA, 10V	Basis-Produktnummer BSS670
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 2,7µA

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)