N-Kanal, Verarmungsmodus 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT-23-3
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BSS169IXTSA1

DigiKey-Teilenr.
448-BSS169IXTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
448-BSS169IXTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
BSS169IXTSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT-23-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BSS169IXTSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
190mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,8V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
2.1 nC @ 7 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
51 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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100,20500 €2,05 €
1000,12870 €12,87 €
5000,09556 €47,78 €
1.0000,08482 €84,82 €
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