Name: BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0811NDATMA1TR-ND
Price: 4.4165 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSG0811NDATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSG0811NDATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSG0811NDATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSG0811NDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSG0811NDATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 25V 19 A, 41 A 2,5W Oberflächenmontage PG-TISON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSG0811NDATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3mOhm bei 20A, 10V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Serie OptiMOS™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8,4nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100pF bei 12V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 2,5W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N-Kanal (zweifach), asymmetrisch	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gatter, 4,5V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TISON-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 19 A, 41 A	Basis-Produktnummer BSG0811